三星公司宣布完成准30nm制程DDR4内存的开发工作

韩国三星电子公司宣布已经完成使用准30nm级别制程（30-39nm之间）DDR4内存模组的开发。目前DDR4内存标准尚未最后成型，不过三星的 DDR4产品在1.2V工作电压下可达到2.133Gb/s的数据传输率。相比之下，DDR3内存的工作电压则需要在1.35-1.5V的工作电压下才可 以达到1.6Gb/s的数据传输率。

按三星自己的话说，如果把这种1.2V电压的DDR4内存使用在笔记本上，那么相比1.5V工作电压的DDR3内存，可省电40%左右。
 

 

参考图：传统堆挽（Push-Pull）和POD输入/输出技术的区别
 

这种内存使用了一种被称为准漏极开路（POD）的技术，这种技术在GDDR3/GDDR4显存上曾有使用，在读写内存数据时，这种技术可以比DDR3内存的工作电流减小一半左右。

不仅如此，由于采用了新的电路架构设计，三星这种DDR4内存最高的数据传输率可高达3.2Gbps，相比之下，DDR3内存仅有1.6Gbps，DDR2则仅800Mbps。

上个月月底，三星曾将一款1.2V 2GB容量的DDR4 unbuffered双列直插内存条样品送给了某家内存控制器厂商进行样品测试。

三星目前正计划与多家服务器厂商合作，以尽快在今年下半年完成DDR4 JEDEC标准的制定工作。